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VSMY2850RG, VSMY2850G
www.vishay.com
BASIC CHARACTERISTICS (T amb = 25 °C, unless otherwise specified)
Vishay Semiconductors
1000
t p = 100 μ s
1000
t p = 100 μ s
100
100
10
10
1
1
0.1
1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8
1
10
100
1000
V F - Forward Voltage (V)
Fig. 3 - Forward Current vs. Forward Voltage
1.90
I F = 100 mA
I F - Forward Current (mA)
Fig. 6 - Radiant Intensity vs. Forward Current
110
I F = 100 mA
1.80
105
t p = 20 m s
100
1.70
95
1.60
90
1.50
1.40
85
80
-60 -40 -20
0
20
40
60
80
100
-60 -40 -20
0
20
40
60
80
100
T amb - Ambient Temperature ( ° C)
Fig. 4 - Forward Voltage vs. Ambient Temperature
115
T amb - Ambient Temperature ( ° C)
Fig. 7 - Relative Radiant Intensity vs. Ambient Temperature
100
I F = 100 mA
90
I F = 20 mA
110
105
100
95
90
t p = 20 m s
80
70
60
50
40
30
20
10
0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80
100
700
750
800
850
900
950
T amb - Ambient Temperature ( ° C)
Fig. 5 - Relative Forward Voltage vs. Ambient Temperature
λ - Wavelength (nm)
Fig. 8 - Relative Radiant Intensity vs. Wavelength
Rev. 1.5, 06-Sep-13
3
Document Number: 83398
For technical questions, contact: emittertechsupport@vishay.com
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